第203章追光二期光源长稳测试

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整机集成节点是硬性要求。如果『追光二期』的长稳测试推迟，会连锁影响到14nmEUV工艺开发丶『天权6号』晶片设计，乃至整个5nm技术平台的进度。」
    他走到实验室的落地白板前，拿起记号笔：「常规的排查流程是什麽？」
    金秉洙迅速列出步骤：「第一步，等腔体冷却至室温，至少12小时；第二步，破真空开腔，目视检查和仪器检测，6小时；第三步，定位故障部件，拆卸更换，8小时；第四步，重新封装，抽真空，烘烤除气，至少24小时；第五步，系统重校准，12小时。总计……至少62小时，这还是最理想的情况。」
    「太长了。」陈醒在白板上划掉这个方案，「我们需要在24小时内恢复测试。」
    「这不可能！」一个年轻工程师脱口而出，随即意识到失言，低下了头。
    陈醒看了他一眼，没有责备，反而问：「你叫什麽名字？哪个组的？」
    「章……章晴，良率建模组的，昨晚被临时抽调来支援数据分析。」年轻人抬起头，眼神里有着技术人特有的执拗，「陈总，我不是质疑您，但物理规律摆在那里。真空系统破空后重新抽到10^-7帕，仅分子泵组运行就需要8小时，加上250摄氏度的烘烤除气，24小时绝对不够。」
    「如果不开腔呢？」陈醒在白板上写下四个字：「原位诊断」。
    实验室里安静了一瞬。
    「不开腔……怎麽检查高压电极？」金秉洙皱眉思索，「我们虽然有腔体内的温度和压力传感器，但没有针对电极绝缘性能的原位监测手段。除非……」
    「除非我们设计一种新的诊断方法。」陈醒接话道，「利用EUV光源自身的特性。」
    他转向主控台，调出系统的三维结构图：「『追光二期』有十六道子雷射束，通过微透镜阵列分光。如果我们调整这个阵列的排布，让其中一束雷射不以锡滴为目标，而是以特定角度擦过疑似故障的电极表面……」
    「雷射诱导击穿光谱！」章晴突然激动地喊道，「用低功率雷射在电极表面产生微量等离子体，通过分析等离子体发射光谱，反推电极表面的化学成分和污染状态！而且因为雷射功率很低，不会对电极造成实质性损伤！」
    金秉洙的眼睛亮了起来：「可行！我们可以用第七束雷射作为探测光，调整其入射角度，让它以15度掠射角扫过第四高压电极区域。如果电极绝缘层真的发生了热降解，表面碳化或者金属迁移，光谱中会出现明显的碳峰或电极材料特徵峰！」
    「不仅如此。」陈醒补充道，「我们还可以在探测雷射上叠加一个低频调制信号，通过分析反射光的相位变化，反演出电极表面的介电常数分布。如果某个区域的绝缘性能下降，介电常数会发生变化。」
    一个原本需要开腔拆解的难题，在几分钟内被转化为了一个精妙的原位光学诊断方案。实验室里的气氛骤然活跃起来，年轻工程师们开始快速计算雷射参数丶设计扫描路径丶编写控制程序。
    但陈醒的眉头依然没有舒展。他走到观察窗前，看着里面那个庞大的丶此刻静默的EUV光源装置，低声对金秉洙说：「即使找到了故障点，原位修复也是个大问题。如果是电极绝缘层退化，我们不可能在真空腔内进行涂层修复。」
    「有两种可能。」金秉洙也压低了声音，「第一种，问题不严重，只是表面轻微污染或微观裂纹，我们可以通过调整工作电压和清洗程序来规避；第二种，问题严重，必须更换电极。那样的话……」
    「我们等不起。」陈醒看着窗外渐亮的天空，「金博士，我有个想法，但风险很大。」
    「您说。」
    「如果故障确实是电极绝缘性能下降，我们能不能……」陈醒的目光锐利，「不修复绝缘层，反而主动降低它的绝缘性能，把它变成一个可控的放电电极？」
    金秉洙倒吸一口凉气：「您是说……故意让它在特定电压下稳定放电，形成一个预设的补偿电场，来抵消原本的漏电场畸变？」
    「对。就像治疗心律失常，有时候不是修复心脏，而是安装一个起搏器。」陈醒在白板上快速画出示意图，「我们设计一个反馈控制回路，实时监测腔体内的电场分布，通过调节这个『缺陷电极』的放电电流，主动补偿电场畸变。只要控制精度足够高，系统可以『带病运行』，直到我们完成长稳测试，再安排大修。」
    这个想法大胆到近乎疯狂。在EUV光源这种精密设备中，主动引入一个不稳定因素，然后用更复杂的控制系统来驯服它，这违背了所有工程师的直觉，设备应该越纯净丶越稳定越好。
    但金秉洙沉默了。他盯着陈醒画的示意图，大脑在飞速运转。几分钟后，他抬起头，眼中闪烁着一种混合着恐惧和兴奋的光芒：「理论上……可行。我们有高速电场传感器阵列的数据，有实时

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第203章 追光二期光源长稳测试

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